2т937а-2 243.35 2т942б 525.45 2т942б 525.45 2т946а 356.50 2т946а 356.50 2т946а 356.50 2т948а 2438.15 2т948а 2438.15 2т949а (Ni) 224.75 2т950б 1312.85 2т963а-2 150.35 2т994а 7314.45 2т994а 7314.45 2тс3136б-1н 113.15 2тс3136б-1н 141.05 2тс3136б-1н 141.05 2тс393а-1н 337.90 2тс398а-1н 15.03 2тс398а-1н 15.03 3п326б-2н 46.50 3п330в-2 55.80 3п330в-2 (перепров.97г) 55.80 3п330в-2 55.80 3п374в-2 (перепров.2000г) 93.00 3п602а-2 (перепров.95г) 280.55 3п602а-2н 243.35 3п602б-2 131.75 3п602б-2 (перепр. 95г.) (о) 131.75 3п602г-2 168.95 3п602г-2 168.95 3п602г-2 168.95 3п604в2-2 (упак., 3 черн. точки) 1593.40 3п910б-2 375.10 3п910б-2 375.10 3п910б-2 375.10 3п910б-2н 375.10 IRF7416 (so-8, HEXFET? Power MOSFET, VDSS = -30V, RDS(on) 18.60 а633 (n-p-n, 1...10ГГц, 200мВт, h21э не более 16) 150.35 а653а 319.30 а675а 280.55 а686б 131.75 а796д (3,7..4,2 ГГц, 2 Вт) 280.55 а796д (3,7..4,2 ГГц, 2 Вт) 300.70 а796д (3,7..4,2 ГГц, 2 Вт) 300.70 а796д (3,7..4,2 ГГц, 2 Вт) 300.70 ап325а-2 46.50 ап325а-2 46.50 ап330в-2 27.90 ап330в-2 27.90 ап379а9 33.79 гт108б 2.79 гт108б 2.24 гт108б 3.72 гт108б 3.72 гт108в 2.79 гт108в 3.72 гт115д 1.50 гт311ж 9.30 гт311ж 9.30 гт321д 7.44 гт321е 2.79 гт328в (Au) 27.90 гт341б (никель) 11.31 гт341б 11.31 гт341в 11.31 гт341в (никель) 11.31 гт403и 7.44 гт703д 7.44 гт906ам 27.90 гт906ам 27.90 гт906ам 30.07 гт906ам 30.07 гтс609а 74.40 гтс609в 27.90 гтс609в 74.40 кп103ир (пара) 37.20
| 
